主な製品はシャワー洗浄機、超音波洗浄機、炭化水素洗浄機などの各種洗浄設備です!
工業洗浄設備の研究開発、製造、技術サービスに特化
半導体
半導体製造分野における産業用超音波洗浄装置の専門的な応用
産業用超音波洗浄技術の研究開発と製造に特化した企業として、当社は半導体製造工程の厳しい要求に応えるため、ウェーハ製造、パッケージングテストなどの工程におけるナノレベルの清浄度要求を満たす、高精度の超音波洗浄装置シリーズを開発しました。以下、技術原理、適用事例、装置の優位性などの観点から詳細に説明します。
一、 核心技術原理と装置特性
1．高周波超音波キャビテーション技術
周波数範囲：40kHz～120kHzマルチバンド、様々な構造の洗浄ニーズに対応
- 低周波数帯（40～80kHz）：大型粒子状汚染物質の除去
- 高周波数帯（100～120kHz）：ナノレベルの残留物や高アスペクト比構造の処理
キャビテーション効果制御：パルス変調技術によりキャビテーション強度を調整し、ウェーハ表面の損傷を防ぎます。
2．多媒体協調洗浄システム
- 二流体供給システム：脱イオン水、化学媒体の単独または混合使用に対応
- 温度制御モジュール：PID制御による精密な温度制御、温度範囲20℃～80℃。
- 循環ろ過ユニット：0.1μm級PTFE膜ろ過システム、液体の清浄度（粒子濃度＜10個/mL）をリアルタイムで維持
3．半導体専用構造設計
- ウェーハ搭載システム：ポリテトラフルオロエチレン（PTFE）製溝、6/8/12インチウェーハの無応力固定に対応
- 交差汚染防止設計：独立したチャンバーによる隔離、フォトリソグラフィ後洗浄、エッチング後洗浄など複数の工程の切り替えに対応
- 全密閉構造：内部清浄度はISO Class 3基準を維持
二、 代表的な半導体用途
1．ウェーハ前工程洗浄
- シリコンウェハー前処理：切断残渣のシリコン粉（粒径＜1μm）と有機汚染物質（TOC＜10ppb）を除去
- フォトリソグラフィ工程対応：
- フォトレジスト剥離：5分以内に厚いレジスト層を除去
- 現像後洗浄：現像液の結晶残渣を除去
- CMP後洗浄：研磨液中のCeO₂粒子を除去（除去率＞99.9％）
2．パッケージング工程の重要な用途
- TSV貫通孔洗浄：アスペクト比20：1の貫通孔内壁の銅くずを除去（残留量＜0.01mg/cm²）
- 接合前処理：ウェーハ表面の酸化物を除去（接触角＜5°）、接合強度を＞15MPaに向上
- RDL層洗浄：銅配線（線幅＜5μm）を腐食から保護し、抵抗変化率を＜0.5％に抑制
3．装置部品のメンテナンス洗浄
- 静電チャック（ESC）再生洗浄：表面平滑度（Ra＜0.1μm）と絶縁性能（体積抵抗率＞1E15Ω・cm）を回復
- 石英チャンバーのスケーリング除去：堆積したSiOx薄膜（厚さ＞100nm）を除去し、洗浄周期を50％短縮
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